기존 트랜지스터의 전력 효율 한계와 터널링 트랜지스터의 구동 전류 문제를 해결하는 혁신적인 제조 방법을 제안합니다. 본 발명은 다면 터널링을 유도하여 구동 전류를 획기적으로 개선하고, 밴드 간 터널링이 발생하는 소스와 채널 사이에 전계를 효과적으로 중첩하여 높은 성능을 구현합니다. 또한, 일반 실리콘 반도체 기판을 사용하여 별도의 마스크 없이 소자 간 격리가 가능하므로 제조 단가를 크게 낮출 수 있습니다. 이 기술은 차세대 저전력 고성능 반도체 소자 개발의 핵심 돌파구를 제공합니다.