기존 MOSFET은 저전력 동작 시 문턱전압 이하 기울기의 물리적 한계로 누설 전류 증가 및 성능 저하 문제가 있었습니다. 또한, 종래의 터널링 전계효과 트랜지스터(TFET)는 급격한 ON/OFF 전류 변화를 구현하기 어려웠습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 동일 평면에 있는 이중층의 밴드간 터널링을 통해 효율적으로 제조 가능한 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제시합니다. 특히, 다마신 공정을 통해 언더랩 영역을 안정적으로 형성하여 적은 비용으로도 우수한 성능을 구현합니다. 이 기술은 낮은 구동 전압 조건에서도 고성능을 보이는 차세대 반도체 소자 개발에 기여할 것입니다.