CMOS 공정 호환, 초저전력 스위칭 소자 개발

전자회로 외

CMOS 공정 호환, 초저전력 스위칭 소자 개발

기술분야

반도체 스위칭 소자

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AI 요약

초소형화, 고집적화된 전자회로에서 저전력/저전압 구동은 핵심 과제이나, 기존 기술은 복잡한 공정과 누설 전류 증가 문제가 있었습니다. 본 발명은 음의 축전 용량(NC)을 갖는 유전체를 비아 구조체에 적용하여 스위칭 소자의 문턱 전압을 획기적으로 낮추는 저전압 구동 스위칭소자 및 제조 방법을 제공합니다. 이 기술은 추가 면적 소모 없이 기존 CMOS 공정으로 제조 가능하여 칩의 고집적화와 전력 효율 극대화를 동시에 달성합니다. 차세대 저전력 반도체 시장을 선도할 본 기술을 확인하십시오.

기본 정보

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기술명
저전압 구동 스위칭소자 및 이의 제조 방법
기관명
서강대학교산학협력단
대표 연구자	공동연구자
최우영	-
출원번호	등록번호
1020180082740	1021319000000
권리구분	출원일
특허	2018.07.17
중요 키워드
반도체 소자 개발CMOS 공정 기술초저전력 반도체문턱 전압 최적화저전압 스위치 구현에너지 효율 향상비아 구조체 활용네거티브 캐패시터MOSFET 소자음의 축전용량저전압 구동 스위칭소자MEMS 스위치고집적 반도체전계효과 트랜지스터차세대 전력반도체전자회로반도체소자

기술완성도 (TRL)

기본원리 파악

기본개념 정립

기능 및 개념 검증

연구실 환경 테스트

유사환경 테스트

파일럿 현장 테스트

상용모델 개발

실제 환경 테스트

사업화 상용운영

기본원리 파악

기본개념 정립

기능 및 개념 검증

연구실 환경 테스트

유사환경 테스트

파일럿 현장 테스트

상용모델 개발

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기술 소개

매도/매수 절차

기술이전 상담신청

연구자 미팅

기술이전 유형결정

계약서 작성 및 검토

계약 및 기술료 입금

문의처

서강대학교

담당자서강대학교산학협력단

이메일tlo@sogang.ac.kr

연락처02-3274-4863

보유 기술

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본 발명은 기존 전기기계 스위치의 높은 구동 전압 문제를 해결하는 데 중점을 둡니다. 캔틸리버의 탄성에너지를 효과적으로 활용하고, 동적 슬링샷 제어 기술을 통해 풀백 및 풀인 전압을 정밀하게 제어하여 구동 전압을 획기적으로 낮추는 방법을 제시합니다. 이 기술은 MEMS(미세전기기계시스템) 및 NEM(나노전기기계시스템) 소자의 구동 효율을 극대화하며, 재구성 가능 로직(FPGA)과 같은 차세대 반도체 분야에서 필수적인 저전력, 고성능 스위치 구현에 기여합니다. 특히, 캔틸리버의 물리적 이동에 맞춰 슬링샷 신호를 동기화함으로써 안정적이고 효율적인 저전압 구동을 실현합니다. 본 기술은 인공지능, 데이터 분석 등 확장된 어플리케이션에 적용 가능합니다.

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기존 폰 노이만 아키텍처는 높은 전력 소모와 발열 문제가 있으며, 기존 이진 신경망(BNN) 구현 방식은 집적도와 신뢰성에서 한계를 보였습니다. 본 기술은 나노 전기기계 메모리(NEM) 소자를 활용하여 이러한 문제를 해결하는 이진 신경망 및 그 동작 방법을 제시합니다. NEM 셀을 이용한 XNOR 연산을 통해 시냅스 어레이의 셀 개수와 전력 소모를 크게 줄일 수 있습니다. 또한, 최소한의 NEM 셀로 이진 신경망 어레이의 집적도를 높이고, 우수한 내구성과 신뢰성을 바탕으로 안정적인 시스템을 구현합니다. 이 기술은 차세대 저전력 고집적 인공지능 반도체 개발에 기여할 것입니다.

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5배 빠른 AI 칩? 저전력 TFET 제조 기술 개발

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