본 발명은 고성능 MOSFET 소자 개발에 있어 스위칭 손실 및 누설 전류 개선의 필요성에 주목합니다. 기존 MOSFET 소자는 높은 스위칭 손실과 누설 전류로 인해 전력 효율 저하 문제가 있었습니다. 이에 본 기술은 P+ 폴리실리콘으로 구성된 분할 게이트와 분리된 쉴딩 패턴을 적용하여 이러한 문제점을 해결합니다. 특히, 이종 접합 바디 다이오드 동작을 통해 역방향 회복 전하를 최소화하고, 게이트 하부 쉴딩 패턴으로 절연 파괴 및 누설 전류를 크게 감소시켰습니다. 이를 통해 고전압 환경에서도 안정적으로 동작하며, 전력 손실을 획기적으로 줄이는 고효율 MOSFET 소자를 제공합니다. 본 기술은 차세대 전력 반도체 분야에 기여할 것입니다.