김광수

재직중

AI 요약

김광수 교수님은 서강대학교 전자공학전공 소속으로, 반도체 소자 분야의 깊이 있는 연구를 수행하고 계십니다. 특히, MOSFET, SiC 전력 반도체, 산화물 TFT 등 차세대 전력 및 시스템 반도체 소자 개발에 주력하시어 관련 기술 발전에 크게 기여하고 계십니다. 교수님의 연구는 소자-회로 연계 신뢰성 해석, 고효율 전력반도체 설계, 트렌치 구조 기반의 소자 제조 방법에 이르기까지 광범위합니다. 다수의 국내외 특허 출원 및 등록을 통해 그 기술력을 입증하셨으며, EV/HEV용 반도체와 같은 미래 기술 분야에도 활발히 참여하고 계십니다. 본 프로필은 교수님의 핵심 연구 역량과 성과를 한눈에 파악할 수 있도록 상세히 정리하였습니다.

김광수

명예교수

서강대학교

시스템반도체학과

소속	서강대학교
부서 학과	시스템반도체학과
직책	명예교수
이메일	kimks@sogang.ac.kr

중요 키워드

MOSFETTFT전력반도체트렌치회로EV/HEVSiC기술개발에너지변환반도체신뢰성센서소자차량용전자공학

문의처

서강대학교

담당자서강대학교산학협력단

이메일tlo@sogang.ac.kr

연락처02-3274-4863

보유 기술

반도체소자 외

이종 접합 다이오드로 역회복 특성 및 신뢰성 향상 MOSFET 개발

가격 협의

기존 MOSFET 소자는 슈퍼 접합 구조의 한계로 인해 바디 다이오드의 역회복 특성이 저하되고 고주파 작동에 제약이 있었습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 본 발명은 이종 접합 다이오드(HJD)를 적용한 혁신적인 MOSFET 소자 및 그 제조 방법을 제시합니다. 이 기술은 게이트 패턴 하부에 p-타입 폴리실리콘층과 n-타입 필라로 구성된 이종 접합 다이오드를 집적하여, 소자의 역회복 전하 및 역회복 시간을 획기적으로 감소시킵니다. 또한, p-타입 쉴딩 패턴을 형성하여 게이트 산화막에 가해지는 높은 전계를 방지함으로써 소자의 신뢰성을 크게 향상시킵니다. 본 기술은 고성능 전력 반도체 시장의 발전에 기여할 핵심 솔루션입니다.

HJD기술MOSFETSiC전력소자고주파스위칭바디다이오드개선

반도체제조 외

역회복 전하 최소화 MOSFET 소자 개발

가격 협의

본 발명은 고성능 MOSFET 소자 개발에 있어 스위칭 손실 및 누설 전류 개선의 필요성에 주목합니다. 기존 MOSFET 소자는 높은 스위칭 손실과 누설 전류로 인해 전력 효율 저하 문제가 있었습니다. 이에 본 기술은 P+ 폴리실리콘으로 구성된 분할 게이트와 분리된 쉴딩 패턴을 적용하여 이러한 문제점을 해결합니다. 특히, 이종 접합 바디 다이오드 동작을 통해 역방향 회복 전하를 최소화하고, 게이트 하부 쉴딩 패턴으로 절연 파괴 및 누설 전류를 크게 감소시켰습니다. 이를 통해 고전압 환경에서도 안정적으로 동작하며, 전력 손실을 획기적으로 줄이는 고효율 MOSFET 소자를 제공합니다. 본 기술은 차세대 전력 반도체 분야에 기여할 것입니다.

DMOSFETMOSFETP+ 폴리실리콘SiC 전력반도체게이트 트렌치

반도체소자

고성능·초소형 SiC 트랜지스터 제조 기술 개발

가격 협의

기존 실리콘카바이드(SiC) 트랜지스터는 높은 온저항과 낮은 항복 전압, 큰 소자 면적 등의 한계가 있었습니다. 본 발명은 게이트 구조물의 측면과 하부에 채널 영역을 형성하는 새로운 실리콘카바이드 트랜지스터 및 제조 방법을 제공합니다. 이를 통해 높은 전류 밀도와 낮은 온저항을 구현하며, 전계 분산으로 높은 항복 전압을 달성합니다. 또한, 컨택 영역 최적화로 칩 소형화 및 고속 스위칭 특성을 유지하여 차세대 고성능 전력 반도체 소자 개발에 기여합니다.

DMOSFET 개선SiC 전력 반도체고속 스위칭 소자고전압 스위칭반도체 소형화

반도체소자

고전압 신뢰성 강화 SiC MOSFET 기술 개발

가격 협의

본 발명은 고전압 환경에서 기존 MOSFET의 신뢰성 및 성능 한계를 극복하는 혁신적인 MOSFET 소자 및 그 제조 방법을 제안합니다. 특히, 모스 채널 다이오드가 내장되고 소스 바이어스된 p+ 쉴딩 영역을 도입하여 소자 신뢰성을 획기적으로 향상시켰습니다. 이 기술은 모스 채널 게이트 하단의 산화막에 걸리는 전계를 낮춰 얇은 산화막 형성(예: 4~6nm)을 가능하게 하며, 3.3kV급 고전압에서도 뛰어난 신뢰성을 확보합니다. 결과적으로 다이오드 턴 온 전압이 감소하고, 고온에서의 역방향 누설 전류가 줄어 정적 특성이 개선됩니다. 또한, 낮은 게이트-드레인 커패시턴스로 스위칭 시간 및 손실이 감소하여 동적 특성 또한 향상됩니다. 본 기술은 차세대 전력반도체 시장에서 고효율, 고신뢰성 MOSFET 소자 개발의 핵심이 될 것입니다.

MOSFETp+ 쉴딩 영역SiC고온 안정성고전압 소자

반도체제조 외

채널 다이오드 내장 SiC MOSFET 온 저항 개선 개발

가격 협의

기존 MOSFET 소자는 높은 온 저항, 채널 저항 및 복잡한 제조 공정으로 인해 성능 한계가 있었습니다. 본 발명은 상하 분할 게이트를 적용하여 두 개의 채널을 형성하는 혁신적인 MCD-MOSFET 기술을 제공합니다. 이 기술은 온 저항과 채널 저항을 획기적으로 낮추고, 폴리실리콘 게이트 증착 시 발생할 수 있는 공정 문제를 해결하여 제조 효율을 높입니다. 또한, 향상된 바디 다이오드 특성으로 스위칭 시 전력 손실을 최소화하고 소자의 신뢰성을 극대화합니다. 이로써 차세대 전력 반도체 시장의 핵심 기술로 기여할 것입니다.

MCD-MOSFETSiC MOSFET고효율 전력 소자반도체 제조분할 게이트

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