기존 내용 주소화 기억장치는 낮은 집적도와 높은 전력 소모로 인해 빅데이터 및 인공지능 분야에서의 활용에 제약이 있었습니다. 본 발명은 나노전자기계(NEM) 메모리 스위치 소자를 활용한 삼진 내용 주소화 기억장치를 제안합니다. 이 기술은 NEM 스위치 자체로 삼진 데이터 저장을 가능하게 하여, 기존 SRAM 기반 대비 트랜지스터 수를 획기적으로 줄여 초저전력 및 고집적화를 실현합니다. 이를 통해 대용량 데이터의 초고속 탐색이 가능하며, 인공지능, 자율주행, IoT 등 차세대 시스템의 성능 향상에 크게 기여할 것입니다.