기존 임의 접근 메모리(RAM)는 순차적 처리로 빅데이터 및 인공지능 시대의 고속, 대용량 데이터 검색에 한계가 있었습니다. 또한 기존 내용 주소화 메모리(CAM)는 고용량 구현과 전력 소모 문제로 다양한 활용에 어려움이 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하고자 강유전체 터널 전계 효과 트랜지스터(FeTFET)를 기반으로 한 차세대 내용 주소화 메모리(CAM) 장치 및 그 동작 방법을 제시합니다. 이 기술은 하나의 FeTFET 트랜지스터로 멀티비트 CAM 연산을 수행하며, 검색 데이터와 저장된 데이터 간의 '불일치 정도'를 정밀하게 판단할 수 있습니다. 이를 통해 고속, 저전력, 고집적 병렬 데이터 처리가 가능하며, 인공지능 및 빅데이터 분야의 효율성을 극대화합니다. 특히, 인공지능의 one-shot/few-shot 러닝 등에 필수적인 지능형 반도체 구현에 핵심적인 역할을 할 것으로 기대됩니다.