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우주, 원자력 발전소 등 고방사선 환경에서 전자기기 오작동 및 성능 저하가 심각한 문제입니다. 본 발명은 방사선에 의한 반도체 소자 특성 변화의 핵심 원인인 산소 빈격자점 생성을 억제하는 혁신적인 금속산화물 반도체 소재 선별 방법을 제공합니다. 특히, 주석(Sn)을 함유한 산화물 반도체 소재(예: ZTO)가 탁월한 방사선 저항성을 가짐을 밝혀냈습니다. 이 기술을 적용하여 개발된 고내구성 박막 트랜지스터(TFT) 및 전자기기는 극한 방사선 환경에서도 안정적인 작동을 보장하여, 전자기기 수명 연장과 신뢰성 향상에 크게 기여할 수 있습니다.
기술명 | |
방사선 저항성 금속산화물 반도체 소재, 이의 선별방법 및 전자기기의 방사선 내구성 평가방법 | |
기관명 | |
서강대학교산학협력단 중앙대학교 산학협력단 | |
대표 연구자 | 공동연구자 |
김충익 | - |
출원번호 | 등록번호 |
1020180001374 | 1020756660000 |
권리구분 | 출원일 |
특허 | 2018.01.04 |
중요 키워드 | |
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