정현식

기존 유연 기판 상 나노박막 제조는 대량 생산에 한계가 있었습니다. 본 기술은 롤투롤 공정을 위한 화학기상 증착법(CVD)을 활용하여 유연 기재 위에 고품질 이황화 몰리브덴 및 이황화 텅스텐 나노박막을 직접 대면적으로 제조하는 혁신적인 방법을 제시합니다. 이 공정은 유연 기재의 결정 구조를 개선하고 불순물 생성을 최소화하여 고순도 박막을 형성합니다. 이를 통해 차세대 유연 반도체, 전계효과 트랜지스터, 광센서 등의 소자를 신속하고 효율적으로 대량 생산할 수 있습니다.

기존 플렉서블 디스플레이 제조 시 박막 전사 과정에서 발생하는 결함 및 불순물로 인해 성능 저하 문제가 있었습니다. 본 기술은 에폭시를 활용하여 유연 기판에 금속 칼코게나이드 박막을 전사하는 혁신적인 방법을 제공합니다. 이 방법은 박막의 결함이나 불순물 생성 없이 우수한 전기적 물성을 지닌 유연 기판 복합체를 제조할 수 있습니다. 결과적으로, 플렉서블 전계 효과 트랜지스터, 센서, LED 등 다양한 차세대 유연 소자 개발 및 상용화에 크게 기여할 것으로 기대됩니다.

기존 실리콘 나노박막 두께 측정 방식은 초박막에서 정확도가 떨어지고 기판 간섭 문제가 발생했습니다. 본 기술은 이러한 한계를 해결하기 위한 혁신적인 '실리콘 나노박막 두께 측정 방법'을 제시합니다. 본 발명은 SOI 웨이퍼에서 실리콘 나노박막을 형성한 후, 이를 투명 기판에 전사하는 과정을 포함합니다. 이후 초저주파 라만 산란 분광법을 이용하여 실리콘 나노박막의 라만 강도 및 초저주파 라만 피크 위치 변화를 측정함으로써 두께를 정밀하게 검출합니다. 특히 2nm와 같이 매우 얇은 나노박막의 두께를 기존 방법으로는 어려웠던 기판 간섭 없이 정확하게 측정할 수 있습니다. 이는 반도체 및 광학 소자 제조 분야의 품질 관리 및 연구 개발에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. 본 기술은 시료 소모 없이 비파괴 방식으로 나노박막 두께를 효율적으로 측정하며, 정밀한 분석을 가능하게 합니다.

기존 이종 접합 물질의 격자 구조 측정 방식은 시료 파손이나 표면 신호 측정의 한계가 있었습니다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위해 반사광을 이용한 비파괴 물질 접합구조 측정 시스템 및 방법을 제공합니다. 이 시스템은 특정 파장의 입사광과 그에 따른 반사광의 세기 변화를 분석하여, 접합된 물질의 격자 형상을 파손 없이 정밀하게 연산할 수 있습니다. 특히, 각 물질의 고유한 광학적 특성을 활용하여 개별 물질의 3차원 형상까지 파악 가능하여 반도체 및 광 소자 연구 개발에 핵심적인 기여를 할 것으로 기대됩니다.